镁光DDR4是美光科技生产的第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器（SDRAM）。DDR4内存相较于DDR3内存，在多个方面进行了改进和优化：

1. 更高的数据传输率：DDR4内存的每个针脚都能提供2Gbps（256MB/s）的带宽，例如DDR4-3200的带宽可达到51.2GB/s，比DDR3-1866高出超过70% 。

2. 更大的容量：DDR4内存支持更高的单条容量，最高可达128GB，这得益于3DS（三维堆叠）技术，它允许在单个芯片内部进行堆叠，从而增加容量 。

3. 更低的功耗：DDR4内存的工作电压降至1.2V，相比DDR3的1.5V进一步降低了能耗。DDR4还采用了如TCSE（温度补偿自刷新）等技术来降低功耗 。

4. 更先进的信号完整性技术：DDR4引入了ODT（On-Die Termination）的更新版本，包括RTT_PARK状态，提供了新的阻值选择，以优化信号完整性和系统性能 。

5. 更宽的工作温度范围：DDR4内存支持更宽的工作温度范围，从0℃到85℃，甚至扩展到-40℃至95℃，适用于更广泛的应用场景 。

6. 更小的封装尺寸：DDR4内存采用了更小的封装技术，例如ULP（超小型规格），适用于空间受限的嵌入式系统 。

7. 兼容性：DDR4内存与新一代的处理器平台兼容，例如Intel的Haswell-EP Xeon E5-2600 v3服务器平台 。

8. ECC支持：DDR4内存支持错误校正码（ECC），提供更高的数据完整性和可靠性，适合服务器和工作站等对数据安全要求较高的应用 。

这些特性使得DDR4内存在性能、能效和可靠性方面都有显著提升，适合高性能计算和数据密集型应用。