产品
镁光DDR3
镁光DDR3是一种高速动态随机存取存储器,具有以下特点和改进 :
-
更高的数据传输率:DDR3内存的8bit预取设计,使得核心工作频率较低,例如DDR3-800的核心工作频率只有100MHz,从而在较低的内核频率下实现更高的数据传输率。
-
改进的地址/命令与控制总线拓扑架构:DDR3采用点对点的拓扑架构,减轻了地址/命令与控制总线的负担,提高了性能。
-
降低能耗:DDR3的工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V,进一步降低了能耗。
-
异步重置与ZQ校准功能:DDR3增加了异步重置功能和ZQ校准功能,通过片上校准引擎(ODCE)自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。
-
逻辑Bank数量:DDR3起始的逻辑Bank数量为8个,为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
-
封装:DDR3采用了新的封装方式,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,并且必须是绿色封装,不含有害物质。
-
突发长度:DDR3的预取为8bit,突发传输周期(BL)固定为8。DDR3还增加了4-bit Burst Chop模式,通过A12地址线控制这一突发模式。
-
寻址时序:DDR3内存的寻址时序进行了优化,以适应更高的性能要求。
-
参考电压:DDR3将参考电压信号VREF分为两个信号,VREFCA为命令与地址信号服务,VREFDQ为数据总线服务,提高系统数据总线的信噪等级。
-
自动自刷新:DDR3采用了根据温度自动自刷新的设计(ASR),通过内置温度传感器控制刷新频率,节省电力。
-
局部自刷新:DDR3支持局部自刷新(RASR),只刷新部分逻辑Bank,减少电力消耗。
-
点对点连接:DDR3系统中,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点的关系,减轻了总线的负载。
DDR3内存在技术和性能上相较于DDR2有显著的提升,包括更高的数据传输率、更先进的地址/命令与控制总线架构、降低能耗等,这些改进使得DDR3内存更加适合高性能计算和数据密集型应用。